Отчет государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) по результатам реализации

Реализованные и/или подготовленные инновации
в научно-исследовательской деятельности

По результатам проведения научных исследований в 2010 году университетом получены 42 охраноспособных документа на объекты интеллектуальной собственности, из них 17 патентов на изобретения, 22 свидетельства на программы для ЭВМ, 3 свидетельства на топологии интегральных микросхем. Три объекта интеллектуальной собственности после независимой оценки были выбраны в качестве имущественного вклада в уставный капитал трех малых предприятий, созданных в 2010 г. в рамках ФЗ-217.

Проведенная модернизация научных лабораторий МИЭТ позволяет развивать новые направления научных исследований и разработок по ПНР.

В рамках ПНР «Микро- и наноэлектроника», направленного на развитие твердотельной электроники и быстродействующей электронной компонентной базы цифровых и цифро-аналоговых интегральных схем, работающих в диапазоне частот десятков гигагерц, особое внимание было уделено совершенствованию материально-технической базы в области технологий наноэлектроники. Ранее в МИЭТ был создан значительный задел по различным направлениям развития технологии гетероструктур. В области развития методов нанотехнологии и создания элементной базы наноэлектроники разработаны новые принципы обработки и преобразования информации, основанные на управляемой перестройке когерентных состояний квантовых гетероструктур, содержащих туннельно-связанные квантовые ямы, и предложены новые типы функционально-интегрированных логических квантовых элементов; созданы программные комплексы по моделированию и проектированию квантовых приборов на базе полупроводниковых гетероструктур; установлены фундаментальные аналогии транспорта носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах и в электронных волноводах с переменным сечением и нетривиальной топологией и развиты методы проектирования базовых элементов волноводной наноэлектроники; получены действующие экспериментальные образцы полностью планарных (без использования мезаструктур) интегральных схем на основе резонансно-туннельных гетероструктур; разработаны и получены действующие базовые элементы акустонаноэлектронных приборов с акустическим переносом заряда на основе полупроводниковых гетероструктур.

В МИЭТ введена в эксплуатацию первая в России установка наноимпринт литографии Suss Mikrotex FC 150, предназначенная для формирования наноразмерных элементов. Отработана технология формирования элементов наноэлектроники на основе углеродных нанотрубок и наностолбиков оксида цинка, получены экспериментальные образцы полевых транзисторов с длиной затвора менее 0,5 мкм. Отработаны процессы совмещения технологии нанолитографии и стандартной литографии для получения монолитно интегрированных схем на основе гетероструктурных соединений А3В5. Патентуется технология создания НЕМТ транзисторов и микросхем с длиной затвора менее 0,1 мкм при помощи технологии наноимпринтлитографии.

В области разработки и создания сверхбыстродействующей элементной базы для систем телекоммуникаций и радиолокации отработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур на базе соединений А3В5, разработана оригинальная технология и реализован единственный в вузах России замкнутый технологический маршрут изготовления сверхбыстродействующих цифровых и цифро-аналоговых интегральных схем на основе полупроводниковых гетероструктур соединений А3В5; получены первые в России экспериментальные образцы интегральных схем на основе полупроводниковых гетероструктур для систем подповерхностной локации и цифровой осциллографии гигагерцового диапазона частот; разработаны схемотехнические решения, обеспечивающие работоспособность интегральных схем при значительном разбросе пороговых напряжений; получены экспериментальные образцы GaAs-нанотранзисторов и ведутся работы по созданию интегральных схем на их основе по заказам Минобороны и Минатома РФ.

Дооснащение имеющегося современного технологического оборудования для проведения основных технологических операций изготовления монолитно интегрированных СВЧ микросхем (МИС СВЧ) на гетероструктурных соединениях А3В5 позволяет вплотную подойти к конкурентноспособным изделиям, востребованным на современном рынке СВЧ схем. Разработанные в НИЧ МИЭТ совместно с НПП «Исток» аналогово-цифровые микросхемы фазовращателей, аттенюаторов, переключателей, работающих на частоте 18 ГГц, имеют значительный спрос для систем АФАР. Потребности их исчисляются сотнями тысяч. Постановка технологии получения качественных омических контактов, которую позволяет осуществить введенная в эксплуатацию установка вжигания «RTP 1200-100», позволит значительно повысить выход годных изделий и значительно снизит стоимость единицы изделия.

Современное развитие техники и технологии требует дальнейшего повышения частотного диапазона твердотельных приборов и МИС. Повышение степени интеграции и удельных мощностей современных схем требует обеспечение достаточного теплоотвода. Для решения этой задачи приобретен комплекс установок утонения «Logiteсh». Возможность получения подложечного материала соединений А3В5 толщиной порядка 50 мкм, кроме решения вопросов теплоотвода, открывает значительные перспективы по разработке и изготовлению МИС, в которых возможно интегрировать как высокочастотные активные элементы, так и высокочастотные пассивные элементы: волноводы, резонаторы и пр.

В рамках программы произведена закупка коррелятора оптических, спектральных и топографических свойств поверхностных объектов «Centaur HR». В результате появилась возможность проводить как независимые исследования топографии и спектральных характеристик поверхности с высоким разрешением, так и получать одновременно спектрально-топографические характеристики исследуемых объектов. Благодаря этому возможно сделать однозначное сопоставление топографии поверхности с её структурой и составом. Кроме того «Centaur HR» позволяет получать отдельный спектр в каждой исследуемой точке, а не только интенсивность по строго выбранному спектральному признаку, как у приборов предыдущих поколений. Сочетание спектроскопии комбинационного (рамановского) рассеяния и сканирующей зондовой микроскопии в комплексе «Centaur HR» позволяет проводить исследования состава, структуры и взаимодействия органических и неорганических веществ, особенностей структуры биологических клеток и микроэлектромеханических систем (MEMS).

В области разработки малогабаритных химических сенсоров на основе углеродных нанотрубок для интеграции в роботизированные платформы мобильных газоанализаторов появляется возможность проведения исследований на нанометровом уровне механизмов возникновения чувствительности при адсорбции примесных газов на газочувствительный слой из углеродных нанотрубок. Комплекс «Centaur HR» позволит в реальном масштабе времени определять энергии адсорбционных связей. Полученные результаты позволят разработать новые композитные слои для создания селективных чувствительных сенсоров. В целом, в области газоанализаторов на основе нанотрубок полученные результаты позволят разработать сенсоры повышенной чувствительности и селективности.

На развитие работ в области нано-, микросистемной техники и электронной компонентной базы была направлена модернизация научно-технологического центра «Нано и микросистемная техника» МИЭТ. НТЦ «Нано и микросистемная техника» был создан в рамках реализации федеральной целевой программы «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008-2011 годы» по направлению «Развитие приборно-инструментальной составляющей инфраструктуры наноиндустрии». Целью деятельности НТЦ является обеспечение развития отечественного сектора высоких технологий и повышения конкурентоспособности национальной экономики на основе передовых достижений наноиндустрии. Модернизация была направлена на обеспечение условий для разработки новых устройств микро- и наноэлектроники, повышения эффективности исследований и расширения технологических возможностей.

Закупленное оборудование расширило возможности имеющихся исследовательско-технологических процессов в части:

- обеспечения проведения процесса электронно-лучевого экспонирования на фотошаблонных заготовках размером 7 дюймов с использованием электронно-лучевого генератора изображения Vistec SB350B, требующихся для формирования наноразмерных структур;

- плазмохимического удаления фоторезиста с поверхности исследуемых кремниевых образцов со скоростью не менее 30 нм/мин и селективностью к Al, SiO2 не менее 200;

- маркировки комплектов полупроводниковых пластин и их привязки к кодам технологических маршрутов методом глубокой гравировки, резки тонких материалов лазерным лучом с точностью позиционирования < 1 мкм;

- проведения контроля промежуточных шаблонов с учетом требований проекционной литографии в масштабе 5:1 при разработке наноэлектронных систем посредством обнаружения проколов в маскирующем слое, островков на светлом фоне, вырывов, выступов элементов рисунка с диапазоном коррекции размеров элементов эталонного изображения 50-250 нм;

- утонения исследуемых пластин методом шлифовки, в том числе сколотых пластин и пластин с неправильной формой, из монокристал-лического Si n- и p- типа диаметром до 200 мм, толщиной 0,3-1,8 мм, до конечной толщины 100 мкм и менее;

- генерации искусственного водорода для обеспечения активированного осаждения тонких слоёв методом генерации паров деионизованной воды при исследовании диффузионных процессов;

- хранения кремниевых пластин, экспериментальных образцов, материалов, электровакуумных и полупроводниковых приборов в защитной атмосфере;

- проведения микросварки золотой проволокой методом шарик-клин при разварке экспериментальных образцов с точностью позиционирования по оси Θ – 10;

- исследований электрофизических свойств пластин и подложек диаметром до 150 мм зондовым методом;

- обеспечения возможности формирования магнитных, диэлектрических, сложных композиционных, в том числе пьезоэлектрических, и других гетероструктур на полупроводниковых подложках с заданными параметрами в диапазоне толщин от 5 до 1000 нм магнетронным методом;

- определения качества поверхности, необходимого для контроля процессов химической обработки экспериментальных пластин и чистоты процессов формирования слоев гетероструктур;

- измерения профиля «плоской» поверхности исследуемых пластин методом механического сканирования стилуса (иглы-зонда), а также определение толщины различных слоев наноструктур при напылении на плоскую поверхность;

- проведения экспериментов по формированию различных структур с наноразрешением на базе растрового электронного микроскопа JEOL JSM-6490LV посредством литографии;

- качественного и количественного анализа состава поверхности экспериментальных образцов в диапазоне спектров определяемых элементов от бериллия до плутония на базе растрового электронного микроскопа JEOL JSM-6490LV;

- проведения исследования температурных характеристик тестовых образцов на базе растрового электронного микроскопа JEOL JSM-6490LV;

- создания и подержания микроклимата на рабочих местах инженеров-исследователей и в общем объеме помещения при помощи приточно-вытяжной вентиляции, управляемой системой автоматики.

На основе проведенной модернизации оборудования появилась возможность развивать базовые технологии по разработке, изготовлению и исследованию устройств микро и наноэлекроники:

- НЭМС-магниторезистивных преобразователей на эффекте гигантского магнетосопротивления (магниторезистивные сенсоры магнитного поля, сверхплотная энергонезависимая память MRAM, СВЧ генераторы электромагнитного излучения, гироскопы в электронных системах навигации).

- НЭМС-тензорезистивных преобразователей (сенсоры давления, акселерометры).

- НЭМС-терморезистивных преобразователей (газовые и жидкостные расходомеры).

- КМОП ИС с топологическими нормами 350 нм.

- сборок интеллектуальных датчиков, предусматривающих интеграцию КМОП ИС (интегральных схем обработки сигнала) с НЭМС- и МЭМС сенсорами в едином конструктивном исполнении.

Планируется выполнение комплекса работ в различных областях деятельности созданной лаборатории электронно-микроскопической нанодиагностики. В области диагностико-метрологического обеспечения предполагается проведение следующих научно-исследовательских работ:

- диагностика многослойной структуры интегральных микросхем, их локальная модификация на основе применения фокусированного ионного пучка и растровой электронной микроскопии;

- исследования и диагностика наноструктурированных материалов и выбранных участков полупроводниковых структур методами просвечивающей электронной микроскопии с разрешением вплоть до атомарного;

- диагностика и локальная модификация изделий микро- наносистемной техники;

- теоретические и экспериментальные исследования упруго и неупругого рассеяния быстрых электронов в твердом теле, процессов взаимодействия электронных и ионных пучков с веществом;

- развитие методов идентификации структуры и состава в наноразмерных областях;

- развитие методов диагностики микро- и наноструктур, нанообъектов на основе комплексного применения растровой и просвечивающей электронной микроскопии, фокусированного ионного пучка;

- развитие методов и средств автоматизированного измерения координат и позиционирования большой совокупности объектов в наноинженерии и наноэлектронике;

- разработка методик автоматизированного измерения координат большой совокупности нанообъектов и их локальной характеризации в наноинженерии и наноэлектронике с различной степенью детализации.

Совершенствование материально-технической базы университета позволило расширить спектр фундаментальных и прикладных научных исследований, повышение качества подготовки специалистов и кадров высшей квалификации в области создания радиоинформационных систем мониторинга состояния атмосферы и гидросферы, навигации и управления, зондирования поверхности Земли. В результате дооснащения созданы условия для исследований и разработок в области:

- построения и реализации скрытных беспроводных локальных сетей;

- разработки технологии проектирования многофункциональных масштабируемых радиоинформационных систем на базе технологии цифровых активных фазированных антенных решеток (АФАР);

- создания аппаратно-программных комплексов сбора и передачи с высокой достоверностью телеметрической информации по радиоканалу;

  1. Центральный федеральный округ (цфо) Белгородская область

    Документ
    Выступая 27 марта 2008 года на заседании областной Думы с отчетом «О выполнении программ социально-экономического развития области за 2007 год» губернатор Белгородской области Е.
  2. Отчет о деятельности федерального государственного научного учреждения (2)

    Содержательный отчет
    4. Выполнение Государственного контракта №П-41 от 16 мая 2006 г. «Разработка контрольных измерительных материалов по общеобразовательным предметам (в том числе пополнения банка тестовых заданий)»
  3. Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования московский государственный технический университет гражданской авиации (1)

    Документ
    Разработка инновационных информационно-образовательных технологий, обеспечивающих модернизацию образовательного процесса и повышение качества обучения учащихся образовательных учреждениях общего и профессионального образования г.
  4. Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования московский государственный технический университет гражданской авиации (4)

    Документ
    Разработка и внедрение комплекса специализированных образовательных программ инженерного профиля в рамках повышения квалификации работников Московского аэроузла на основе организации системы дополнительного обучения кадров
  5. Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования московский государственный технический университет гражданской авиации (6)

    Документ
    Разработка научно-методического обеспечения развития педагогического потенциала специализированных школ для детей с ограниченными возможностями на основе повышения квалификации учителей по циклу социогуманитарных дисциплин с включением
  6. Научно-образовательный центр инновационного развития железнодорожного транспорта государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования

    Документ
    Наиболее оптимальным решением задач инновационного развития транспортного комплекса Российской Федерации является концентрация усилий на создании интегрированной инновационной транспортной среды через совершенствование структуры отраслевого
  7. Отчет о результатах самообследования государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования “

    Содержательный отчет
    В соответствии с решением Ученого Совета университета в рамках комплексной оценки деятельности ГОУ ВПО “Московский государственный технический университет "МАМИ" " (далее – МГТУ "МАМИ" или университет) в июне – октябре 2006г.
  8. Отчет государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)» о реализации

    Содержательный отчет
    Государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)»
  9. Отчет о результатах самообследования Федерального государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования

    Содержательный отчет
    В связи с проведением в ноябре 2008 года очередного лицензирования и аккредитации Федерального государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Ростовская государственная консерватория (академия) им.

Другие похожие документы..