Отчет государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) по результатам реализации

- определить конкретные типы оборудования и программного обеспечения, гарантирующие совместную работу различных технологически связанных между собой компонентов инфраструктуры, уже имеющиеся в вузе и запланированные при создании пятой очереди развития НИУ МИЭТ;

- используя оборудование и программное обеспечение мирового уровня создать или развить материально-техническую базу для указанных в настоящей конкурсной документации лабораторий, научных центров компетенций и дизайн-центров, рабочих мест для образовательного, научного и административного процессов. При необходимости выполнить поставку линий связи и осуществить подвод иных коммуникаций для подключения предлагаемого в поставке оборудования.

Конкурс был объявлен 22 октября 2010г. Дата подведения итогов конкурса – 29 ноября 2010г. Контракт заключен 01.11.2010 с ЗАО «Фирма АйТи. Информационные технологии» по цене -108724770,50 (сто восемь миллионов семьсот двадцать четыре тысячи семьсот семдесят) рублей 50 копеек, снижение от начальной максимальной цены составило 2%. Срок исполнения контракта – 26 декабря 2011г.

Для закупки учебно-лабораторного и научного оборудования из средств финансирования Программы 2010 и частично 2011 годов было проведено11 процедур государственных закупок, в том числе: 5 конкурсов, 4 аукциона в электронной форме и 2 котировки на общую сумму 490 655 414,65 рублей , в том числе:

Конкурс на поставку программно-технического комплекса для модернизации центра «Радиоинформационные системы».

На текущий момент в составе центра «Радиоинформационные системы» существуют лаборатории «Радиооборудование информационно-управляющих систем» и «Калибровочная лаборатория». Данные лаборатории оснащены современным оборудованием и программным обеспечением, позволяющим осуществлять проектирование, макетирование и испытания высокочастотных трактов радиоинформационных систем в диапазоне частот несущей до 40 ГГц, полосой сигналов до 40 МГц и диапазоном мощностей от  160 дБмВт до + 20 дБмВт.

Существует ряд ограничений возможностей функционирования центра:

- на участке векторного анализа параметров высокочастотных схем отсутствует возможность проведения испытаний и настройки устройств с волноводными выводами;

- на участке спектрального анализа отсутствует возможность генерации высокочастотных сигналов с полосой 100 МГц, широко используемой в современных системах связи и радиолокации;

- на участке моделирования и логического анализа отсутствует возможность анализа в режиме реального времени цифровых потоков со скоростями до 1 Гбит/с, а также возможность создания виртуальных приборов на основе модульного оборудования и специализированного программного обеспечения;

- на участке проектирования и моделирования радиоинформационных систем отсутствуют программно-аппаратные средства моделирования и макетирования низкочастотных аналоговых схем на основе технологии виртуальных приборов.

В рамках выполнения технического задания необходимо было провести анализ существующих комплектов оборудования и технологических процессов центра, разработать технические решения и осуществить поставку программно-технического комплекса для модернизации центра, интегрировать его с существующим комплексом измерительного оборудования, осуществить разработку методического обеспечения интеграции закупаемого оборудования в существующий комплекс, разработку технической документации и обучение персонала.

Конкурс был объявлен 11 октября 2010г. Дата подведения итогов конкурса – 22 ноября 2010г. Контракт заключен 06.12.2010г. с ФГУП "ВО "Внештехника" по начальной максимальной цене 25 740 000 рублей. Срок исполнения контракта – 31 декабря 2011г.

Конкурс на поставку программно-технического комплекса для модернизации научно-образовательного центра «Нанотехнологии в электронике».

В составе МИЭТ в рамках ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008-2010 годы» создан научно-образовательный центр (НОЦ) «Нанотехнологии в электронике», деятельность которого направлена на выполнение поисковых исследований в области индустрии наносистем и материалов, проведение проблемно-ориентированных научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, а также разработку технологий приборной реализации наносистем.

В НОЦ созданы технологические участки для разработки и изготовления приборов и интегральных схем на основе сложных полупроводниковых соединений, включающий чистые производственные помещения, специальное технологическое оборудование и инженерный комплекс обеспечения технологических установок. В настоящее время в центре реализованы следующие технологические операции:

- фотолитография; - химическая обработка и отмывка пластин; - наноимпринт литография; - плазмохимическое осаждение и травление функциональных слоев; - электронно-лучевое нанесение покрытий; - контроль функциональных характеристик структур; - пиролитическое осаждение материалов и покрытий.

Направления деятельности НОЦ «Нанотехнологии в электронике» включают:

- разработку технологических процессов создания сенсорных и актюаторных структур, интегрируемых в маршруты изготовления интеллектуальных МЭМС и НЭМС;

- разработку технологий изготовления химических сенсоров на основе наноструктурированных материалов;

- разработку возобновляемых источников энергии на основе наноструктур;

- разработку приборов функциональной электроники на основе пьезоэлектриков;

- фундаментальные исследования в области новых функциональных материалов для физических и химических сенсоров.

Существующий технологический комплекс не обеспечивает полноценную реализацию всех возможностей функционирования НОЦ:

- в технологическом цикле отсутствует установка быстрого термического отжига, что не позволяет формировать контакты СВЧ-устройств;

- не реализована операция утонения полупроводниковых структур, обеспечивающая создание систем повышенного теплоотвода для СВЧ-устройств;

- отсутствуют установки для проведения процессов нанесения и удаления материалов, несовместимых с маршрутом изготовления приборов на основе полупроводниковых гетероструктур, что не позволяет реализовать создание сенсорных и актюаторных структур;

- отсутствует необходимый комплекс контрольно-измерительного обрудования для исследования параметров функциональных наноматериалов и структур.

В рамках выполнения технического задания необходимо было провести анализ существующих комплектов оборудования и технологических процессов и предложить комплекс технических решений (в том числе оборудование), существенно расширяющих возможности имеющихся технологических процессов, в части: быстрого термического отжига в контролируемой атмосфере, утонения полупроводниковых структур и пластин, магнетронного и электронно-лучевого нанесения пленок, реактивно-ионного травления пленок, эллипсометрических измерений сверхтонких пленок в видимой и инфракрасной областях спектра, спектрофотометрических измерений, широкого класса оптической микроскопии, дифференциального термогравиметрического анализа, дифференциальной сканирующей калориметрии, измерения температурной зависимости электропроводности, изучения эффекта Холла, широкого спектра методов физико-химического анализа.

Конкурс был объявлен 11 октября 2010г. Дата подведения итогов конкурса – 22 ноября 2010г. Контракт заключен 06.12.2010г. с ФГУП "ВО "Внештехника" по начальной максимальной цене - 87440000 (восемьдесят семь миллионов четыреста сорок тысяч) рублей. Срок исполнения контракта – 31 декабря 2011г.

Конкурс на поставку программно-технического комплекса для модернизации центра нано- и микросистемой техники.

На текущий момент в составе Центра запущена технологическая линия проектирования, каталогизации и производства фотошаблонов СБИС с уровнем технологий 0,18 мкм, состоящая из чистых производственных помещений, специального технологического оборудования и инженерного комплекса, обслуживающего изготовление прецизионных фотошаблонов. Центр оснащен энергоносителями и специальным технологическим оборудованием, на котором будут разрабатываться и выполняться техно-логические процессы по изготовлению чувствительных элементов сенсоров и созданию приборных наноструктур на пластинах диаметром 150 мм.

Существует ряд ограничений возможностей функционирования Центра:

- на участке фотолитографии отсутствуют возможности проведения процесса экспонирования на фотошаблонных заготовках размером 7 дюймов и контроля промежуточных шаблонов с учетом требований проекционной литографии в масштабе 5:1; контроля дефектов топологии промежуточных шаблонов;

- на участке химической обработки и отмывки пластин отсутствует возможность плазмохимического удаления фоторезиста;

- отсутствует возможность утонения, шлифовки и полировки пластин, а также маркировки;

- на участке напыления тонких пленок металлов отсутствует возможность прецизионного напыления Pt и других материалов с высокой равномерностью по поверхности и с заданной минимальной толщиной;

- отсутствует возможность межоперационного контроля пластин по анализу поверхностной дефектности посредством зондового, оптического, энергодисперсионного методов;

- возможности поддержания микроклимата в производственных помеще-ниях и на рабочих местах операторов ограничены недостаточно развитой системой приточно-вытяжной вентиляции и системой автоматики контроля.

В рамках выполнения технического задания необходимо было провести анализ имеющегося оборудования и технологических процессов Центра: - контактной фотолитографии; - проекционной фотолитографии; - химической обработки пластин; - термодиффузионной обработки пластин; - плазмохимического травления; - жидкостного травления; - осаждения диэлектрических слоев и поликремния из газовой фазы; - вакуумного напыления металлических и диэлектрических пленок; - сращивания пластин (бондинга); - утонения пластин; - маркировки пластин; - скрайбирования пластин; - высокоточной сборки; - электрофизических измерений; - испытательного и сертификационного центра - и предложить комплекс технических решений (в том числе оборудование), расширяющих возможности имеющихся технологических процессов в части изготовления фотошаблонов типоразмера 7 дюймов, плазмохимического удаления фоторезиста, лазерной маркировки пластин и изделий микроэлектроники, контроля топологии, шлифовки и полировки пластин, хранения электровакуумных и полупроводниковых приборов в защитной атмосфере, зондового контроля пластин, напыления магнитных, диэлектрических и других материалов на полупроводниковые подложки, измерения чистоты поверхности подложек, измерения профиля поверхности образцов, доукомплектации растрового электронного микроскопа блоками управления фокусированным ионным пучком для засветки фоторезиста, энерго-дисперсионного микроанализа и оснасткой для проведения экспериментов при пониженных и повышенных температурах, контроля и регулирования технологических процессов и параметров микроклимата.

Конкурс был объявлен 11 октября 2010г. Дата подведения итогов конкурса – 22 ноября 2010г. Контракт заключен 06.12.2010г. с ФГУП "ВО "Внештехника" по начальной максимальной цене – 139 000 000 рублей.
Срок исполнения контракта – 01 сентября 2011г.

Конкурс на разработку технических решений и поставку Программно-технического комплекса для модификации, диагностики структуры и состава микро- и нанообъектов.

Программно-технический комплекс по этому конкурсу должен был поставляться после разработки технических решений, обосновывающих его комплектацию для выполнения работ по модификации и диагностике структуры и состава микро- и нанообъектов, обеспечивая их соответствие технологическим нормам. Предложенные технические решения по комплектации Программно-технического комплекса должны были предусматривать его модульную структуру, обладающей гибкостью как по дальнейшему наращиванию функциональности создаваемой комплексной системы, так и ее модернизации. При этом программно-технический комплекс должен быть оснащен системой со сфокусированным ионным пучком, сканирующим микроскопом, коррелятором оптических и топографических свойств поверхностных объектов, микрофокусным рентгенофлюоресцентным спектрометром, инфракрасной тепловизионной системой для бесконтактного измерения температуры и теплового анализа.

Системы ускорения и фокусировки ионов и электронов (ионная и электронная колонны) должны быть изготовлены тем же производителем, что и сам микроскоп. Электронная колонна должна располагаться вертикально относительно рабочего стола.

Программно-технический комплекс должен обеспечивать возможность проведения исследования структуры и химического состава образца и модификацию объектов (травление и осаждение материалов), создание сечений в заданном месте образца; должен быть оборудован микроманипулятором и газовыми инжекторами для подачи газов с различным химическим составом.

Для элементного анализа необходим энергодисперсионный спектрометр (ЭДС) с возможностью анализа состава в точке образца, вдоль любой линии на поверхности образца и построения двумерной карты распределения элементов в образце.

Коррелятор оптических и топографических свойств поверхностных объектов должен работать в режиме сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) и обеспечивать измерение топографической карты поверхности образца с автоматическим выводом трехмерного изображения поверхности образца на экран монитора и записью топографической карты в память ЭВМ.

Комплексный анализатор должен работать в режиме сканирующего оптического конфокального микроскопа (СОКМ) и обеспечивать измерение оптического изображения образца в процессе сканирования с автоматическим выводом трехмерного изображения поверхности образца на экран монитора и записью оптического изображения образца в память компьютера. Спектрометр должен обеспечивать неразрушающий способ качественного и количественного определения массовой концентрации элементов от Mg12 до U92 в жидких, твердых или порошкообразных образцах. Спектрометр должен быть: безопасным в применении и обслуживании, не содержать радиоизотопов, иметь маломощную рентгеновскую трубку, освобожден от учета и контроля СЭС.

  1. Центральный федеральный округ (цфо) Белгородская область

    Документ
    Выступая 27 марта 2008 года на заседании областной Думы с отчетом «О выполнении программ социально-экономического развития области за 2007 год» губернатор Белгородской области Е.
  2. Отчет о деятельности федерального государственного научного учреждения (2)

    Содержательный отчет
    4. Выполнение Государственного контракта №П-41 от 16 мая 2006 г. «Разработка контрольных измерительных материалов по общеобразовательным предметам (в том числе пополнения банка тестовых заданий)»
  3. Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования московский государственный технический университет гражданской авиации (1)

    Документ
    Разработка инновационных информационно-образовательных технологий, обеспечивающих модернизацию образовательного процесса и повышение качества обучения учащихся образовательных учреждениях общего и профессионального образования г.
  4. Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования московский государственный технический университет гражданской авиации (4)

    Документ
    Разработка и внедрение комплекса специализированных образовательных программ инженерного профиля в рамках повышения квалификации работников Московского аэроузла на основе организации системы дополнительного обучения кадров
  5. Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования московский государственный технический университет гражданской авиации (6)

    Документ
    Разработка научно-методического обеспечения развития педагогического потенциала специализированных школ для детей с ограниченными возможностями на основе повышения квалификации учителей по циклу социогуманитарных дисциплин с включением
  6. Научно-образовательный центр инновационного развития железнодорожного транспорта государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования

    Документ
    Наиболее оптимальным решением задач инновационного развития транспортного комплекса Российской Федерации является концентрация усилий на создании интегрированной инновационной транспортной среды через совершенствование структуры отраслевого
  7. Отчет о результатах самообследования государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования “

    Содержательный отчет
    В соответствии с решением Ученого Совета университета в рамках комплексной оценки деятельности ГОУ ВПО “Московский государственный технический университет "МАМИ" " (далее – МГТУ "МАМИ" или университет) в июне – октябре 2006г.
  8. Отчет государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)» о реализации

    Содержательный отчет
    Государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)»
  9. Отчет о результатах самообследования Федерального государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования

    Содержательный отчет
    В связи с проведением в ноябре 2008 года очередного лицензирования и аккредитации Федерального государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Ростовская государственная консерватория (академия) им.

Другие похожие документы..